スパッタリング条件検討　そして成膜へ

　
条件検討も最終ステージです。もうこれでだめならネタ切れであきらめるしかありません。
が、この実験はこれまでの知見をすべて突っ込んでいますので一定の結果を得られるはずです。
いざスタート。

床面全体がターゲットです。ターゲットに直接シリコンパッキンを乗せ、その上からチャンバをかぶせる構成です。チャンバはガラスのものを作り直しましたので少々熱くなっても問題ありません。
基板とターゲットの間隔、印加電圧、製膜時間がパラメータになると考えられます。

まずは適当なセメント抵抗の足を切ってスペーサーに。ターゲットからの距離はおよそ10mm。

放電開始。電圧をがんがん上げます。1.5kVくらいかかっているはず。
….と、見る間に基板上に何かの膜が。

待つこと数分。

さらに数分。

停止。
銅の光沢が見えます。膜が出来ている！

チャンバの温度は100℃超え。まったく問題なし。

少し冷ましてから、

取り出しました。成膜されています。

おおお！ ややムラながら美しい光沢。酸化もまったくなし。

透過させるとちゃんとハーフミラーです。
…….というか、ちょっと薄すぎじゃないですか？もっと長く製膜しなきゃいけないのでしょうか。
うーん、スライダックもトランスも熱くなってるので、あんまり長い時間は通電したくありません。

 基板をターゲットに近づけてみましょう。

 やはり抵抗をスペーサーにして、
今度はターゲットまでの距離は3mmくらいです。

通電開始。

たちまち膜が。

しかし、ここでじっと我慢。

5分経過。さすがにいいでしょう。

おお、結構熱くなってます。

よし！もう少し基板をターゲットから離して様子を見よう。
次のスペーサーもセメント抵抗です、距離は6mm。